据韩媒etnews今日报道，未网络三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备。
图六、新型系统下BITTdots的体外光热和光动力性质（A）与BITT（6.68µgmL-1）孵育1h后，对4T1细胞进行CLSM成像，红色荧光对应于BITT、细胞核与蓝色荧光共定位。电力代高（B）通过单晶X射线衍射确认ITT的单晶结构。
通过光疗后，构筑4T1肿瘤小鼠的肿瘤消除表明，BITTdots通过协同的PDT-PTT光疗法表现出优异的抗癌效果。品质（F）BITTdots在水溶液中的吸收和发射光谱。图七、通信4T1肿瘤小鼠模型的体内成像和治疗（A-B）瘤内注射BITTdots后，不同时间点的4T1荷瘤小鼠的NIR-IIFL图像和NIR-IIFL图像。
在这些AIEgens中，未网络具有转子扭曲结构、高D-A强度和强NIR-II发射的BITT表现出最优异的ROS产生效率和光热转换效率（35.76％）。体外实验表明，新型系统下BITT对癌细胞具有低的暗毒性和高的光毒性。
图八、电力代高通过BITTdots光疗后小鼠的组织学H＆E、电力代高TUNEL（红色荧光）和CD31（绿色荧光）染色分析【小结】综上所述，作者合理设计并合成了一系列新颖的AIE分子（BITT、BITB、ITT和ITB）。
体内评估表明，构筑在660nm（0.3Wcm-2）的激光照射下，肿瘤表面温度升至55℃，同时展示了良好的小鼠肿瘤的NIR-I和NIR-II的荧光成像。众所周知，品质材料加工变形是细化晶粒，提高力学性能的重要途径，而变形通常由位错滑移来主导，这便涉及到金属内部位错密度的问题。
1.利用大小角晶界定性判断位错密度众所周知，通信金属材料热加工的过程，是一个加工硬化和动态软化的综合性过程。而亚晶界一般在2-15°，未网络大角晶界则在15°以上。
从右边的大小角晶界分布的柱状图中可以看到，新型系统下小角晶界占有一定的比例，新型系统下尤其是2°左右的晶界频率很高，这表示材料内部含有许多变形晶粒存在，同时2-15°的亚晶界也占有一定的比例，各种程度的大角晶界虽然不是主导，但也存在。扫描以下二维码添加客服微信，电力代高备注EBSD+姓名+单位名称+研究方向即可入群。
